Wie der südkoreanische Konzern heute mitteilt, beginnt Samsung mit der Produktion von 256 GB V-NAND Speicherchips. Diese ermöglichen u.a. Transferraten von 1 GB/s – wie geschaffen für USB-C 3.1-Anschlüsse.
Gegenüber dem Vorgänger bieten die neuen Speicherchips eine ganze Reihe an Vorteilen: sie sind bei der Übertagung rund 50% schneller, verfügen über eine verbesserte Energieeffizienz und sollen zuverlässiger als der Vorgänger arbeiten.
So weit, so gut, so what?
Gut möglich, dass hier lediglich ein glücklicher Zufall besteht, den Blogger über Gebühr bemühen wollen. Aber was wäre wenn Samsung diesen neuen Speicher in (bald erscheinenden) Smartphones und Tablets verwenden würde?
Im August/September wird mit einem Nachfolger zum verunglückten Galaxy Note 7 gerechnet. Von der Speichergröße her betrachtet ist es denkbar, dass man so viel Speicher in einem Flaggschiff-Modell wie dem Samsung Galaxy Note 8 verwenden könnte.
Andererseits hat man im Galaxy S8 „lediglich“ 64 GB UFS 2.0/2.1 Speicher eingesetzt und wegen der Mogelpackung auch ordentlich Schelte bekommen. Die Aufregung war oft umsonst, den Unterschied im Alltag hat man wahrscheinlich eh nicht bemerkt bemerkt. Theoretisch unterstützt selbst UFS 2.0 Lesegeschwindigkeiten bis 850 MB/s (UFS 2.1 bis 5,8 Gbit/s brutto), im Alltag immer noch mehr als akzeptable Werte.
